ZXMN3B04N8TC
Valmistajan tuotenumero:

ZXMN3B04N8TC

Product Overview

Valmistaja:

Diodes Incorporated

Osan numero:

ZXMN3B04N8TC-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SO
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 30 V 7.2A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO

Varasto:

12887174
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä

ZXMN3B04N8TC Tekniset tiedot

Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Diodes Incorporated
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
30 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
7.2A (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
2.5V, 4.5V
Rds päällä (max) @ id, vgs
25mOhm @ 7.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA (Min)
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
23.1 nC @ 4.5 V
Vgs (enintään)
±12V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2480 pF @ 15 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
2W (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
8-SO
Pakkaus / Kotelo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Perustuotenumero
ZXMN3

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot
Tietokortit
HTML-tietolomake

Lisätietoja

Vakio-paketti
2,500

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Vaihtoehtoiset mallit

Osanumero
ZXMN3B04N8TA
VALMISTAJA
Diodes Incorporated
Saatavilla oleva määrä
2078
DiGi OSA NUMERO
ZXMN3B04N8TA-DG
Yksikköhinta
0.40
VAIHTOEHTO TYYPPI
Parametric Equivalent
Osanumero
STS10N3LH5
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
4575
DiGi OSA NUMERO
STS10N3LH5-DG
Yksikköhinta
0.40
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
diodes

ZVN4206AVSTZ

MOSFET N-CH 60V 600MA E-LINE

diodes

MMBF170Q-13-F

MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23

nexperia

BUK9M53-60EX

MOSFET N-CH 60V 17A LFPAK33

diodes

ZVP4525ZTA

MOSFET P-CH 250V 205MA SOT89-3