Valmistajan tuotenumero:
ZXMN3F31DN8TA
Product Overview
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Osan numero:
ZXMN3F31DN8TA-DG
Kuvaus:
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SO
Yksityiskohtainen kuvaus:
Mosfet Array 30V 5.7A 1.8W Surface Mount 8-SO
Varasto:
5388 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12886386
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
ZXMN3F31DN8TA Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, FET, MOSFET-ryhmät
Valmistaja
Diodes Incorporated
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguraatio
2 N-Channel (Dual)
FET-ominaisuus
Logic Level Gate
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
30V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
5.7A
Rds päällä (max) @ id, vgs
24mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
12.9nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
608pF @ 15V
Teho - Max
1.8W
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Pakkaus / Kotelo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Toimittajan laitepaketti
8-SO
Perustuotenumero
ZXMN3
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
500
Muut nimet
ZXMN3F31DN8TR
1034-ZXMN3F31DN8CT
ZXMN3F31DN8CT
ZXMN3F31DN8DKR
1034-ZXMN3F31DN8TR
1034-ZXMN3F31DN8DKR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
ZXMHC3F381N8TC
MOSFET 2N/2P-CH 30V 3.98A 8SO
ZXMN3A04DN8TA
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
ZXMD63C02XTC
MOSFET N/P-CH 20V 8MSOP