Valmistajan tuotenumero:
ZXMN4A06GTA
Product Overview
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Osan numero:
ZXMN4A06GTA-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 40V 5A SOT223
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 40 V 5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223-3
Varasto:
12902444
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
ZXMN4A06GTA Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Diodes Incorporated
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
40 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
5A (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
50mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
18.2 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
770 pF @ 40 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
2W (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
SOT-223-3
Pakkaus / Kotelo
TO-261-4, TO-261AA
Perustuotenumero
ZXMN4A06
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
1,000
Muut nimet
ZXMN4A06GTR
ZXMN4A06GTR-NDR
ZXMN4A06GDKR
ZXMN4A06GCT
ZXMN4A06GCT-NDR
Q3100363C
ZXMN4A06GDKRINACTIVE
ZXMN4A06GDKR-DG
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
NCV8402ASTT1G
VALMISTAJA
onsemi
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
NCV8402ASTT1G-DG
Yksikköhinta
0.30
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
NCV8402ASTT3G
VALMISTAJA
onsemi
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
NCV8402ASTT3G-DG
Yksikköhinta
0.30
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
ZXMN10B08E6TA
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26
ZXMN4A06KTC
MOSFET N-CH 40V 7.2A TO252-3
DMG1013T-7
MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
