FDB86102LZ
Valmistajan tuotenumero:

FDB86102LZ

Product Overview

Valmistaja:

Fairchild Semiconductor

Osan numero:

FDB86102LZ-DG

Kuvaus:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 100 V 8.3A (Ta), 30A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Varasto:

6118 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12946803
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
num_del num_add
*
*
*
*
MUvP
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä

FDB86102LZ Tekniset tiedot

Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Paketti
Bulk
Sarja
PowerTrench®
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
8.3A (Ta), 30A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
24mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1275 pF @ 50 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
3.1W (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
TO-263 (D2PAK)
Pakkaus / Kotelo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot
FDB86102LZ Datasheet

Lisätietoja

Vakio-paketti
345
Muut nimet
ONSONSFDB86102LZ
2156-FDB86102LZ

Ympäristö- ja vientiluokitus

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-sertifiointi
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Liittyvät tuotteet
fairchild-semiconductor

FQA27N25

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

fairchild-semiconductor

FDS8672S

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

international-rectifier

AUIRF3205ZS

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

fairchild-semiconductor

FDP39N20

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3