Valmistajan tuotenumero:
FDFMA3P029Z
Product Overview
Valmistaja:
Fairchild Semiconductor
Osan numero:
FDFMA3P029Z-DG
Kuvaus:
MOSFET P-CH 30V 3.3A 6MICROFET
Yksityiskohtainen kuvaus:
P-Channel 30 V 3.3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 6-MLP (2x2)
Varasto:
2319 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12946934
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
FDFMA3P029Z Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Paketti
Bulk
Sarja
PowerTrench®
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
P-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
30 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
3.3A (Ta)
Rds päällä (max) @ id, vgs
87mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
435 pF @ 15 V
FET-ominaisuus
Schottky Diode (Isolated)
Tehohäviö (enintään)
1.4W (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
6-MLP (2x2)
Pakkaus / Kotelo
6-WDFN Exposed Pad
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
1,110
Muut nimet
2156-FDFMA3P029Z
FAIFSCFDFMA3P029Z
Ympäristö- ja vientiluokitus
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
FDS6298
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
CSD17303Q5
CSD17303Q5 30V, N CHANNEL NEXFET
FDB035AN06A0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
