FDPF13N50FT
Valmistajan tuotenumero:

FDPF13N50FT

Product Overview

Valmistaja:

Fairchild Semiconductor

Osan numero:

FDPF13N50FT-DG

Kuvaus:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 500 V 12A (Tc) 42W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Varasto:

28947 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12946792
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä

FDPF13N50FT Tekniset tiedot

Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Paketti
Bulk
Sarja
UniFET™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
500 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
12A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
540mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1930 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
42W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220F-3
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3 Full Pack

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Lisätietoja

Vakio-paketti
293
Muut nimet
ONSONSFDPF13N50FT
2156-FDPF13N50FT

Ympäristö- ja vientiluokitus

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
international-rectifier

IRFH5250DTRPBF

IRFH5250 - 12V-300V N-CHANNEL PO

international-rectifier

IRF1407PBF

IRF1407 - 12V-300V N-CHANNEL POW

fairchild-semiconductor

FDFMA2P853

MOSFET P-CH 20V 3A 6MICROFET

fairchild-semiconductor

FCPF380N60

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1