HUF75852G3
Valmistajan tuotenumero:

HUF75852G3

Product Overview

Valmistaja:

Fairchild Semiconductor

Osan numero:

HUF75852G3-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CH 150V 75A TO247-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 150 V 75A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247

Varasto:

292 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12947690
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
num_del num_add
*
*
*
*
bjh1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä

HUF75852G3 Tekniset tiedot

Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Paketti
Bulk
Sarja
UltraFET™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
150 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
75A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
16mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
480 nC @ 20 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
7690 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
500W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-247
Pakkaus / Kotelo
TO-247-3

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Lisätietoja

Vakio-paketti
35
Muut nimet
2156-HUF75852G3
ONSONSHUF75852G3

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila
ROHS3 Compliant
REACH-tilanne
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
taiwan-semiconductor

TSM035NB04CZ

MOSFET N-CH 40V 18A/157A TO220

international-rectifier

IRF6620TRPBF

IRF6620 - 12V-300V N-CHANNEL POW

stmicroelectronics

STP21NM50N

MOSFET N-CH 500V 18A TO220AB

nexperia

PSMN1R9-40PL,127

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1