Valmistajan tuotenumero:
GCMX040B120S1-E1
Product Overview
Valmistaja:
SemiQ
Osan numero:
GCMX040B120S1-E1-DG
Kuvaus:
SIC 1200V 40M MOSFET SOT-227
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 1200 V 57A (Tc) 242W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Varasto:
80 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
13311494
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
GCMX040B120S1-E1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
SemiQ
Paketti
Tube
Sarja
-
Pakkaaminen
Tube
Osan tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
SiCFET (Silicon Carbide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
1200 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
57A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
20V
Rds päällä (max) @ id, vgs
52mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 10mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
121 nC @ 20 V
Vgs (enintään)
+25V, -10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
3185 pF @ 1000 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
242W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Chassis Mount
Toimittajan laitepaketti
SOT-227
Pakkaus / Kotelo
SOT-227-4, miniBLOC
Perustuotenumero
GCMX040
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
10
Muut nimet
1560-GCMX040B120S1-E1
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
