Valmistajan tuotenumero:
G7K2N20LLE
Product Overview
Valmistaja:
Goford Semiconductor
Osan numero:
G7K2N20LLE-DG
Kuvaus:
N-PH,200V, ESD,2A,RD<0.7@10V,VTH
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 200 V 2A (Tc) 1.8W (Tc) Surface Mount SOT-23-6L
Varasto:
2823 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
13004186
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
G7K2N20LLE Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Goford Semiconductor
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
TrenchFET®
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
200 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
2A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
700mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
10.8 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
577 pF @ 100 V
FET-ominaisuus
Standard
Tehohäviö (enintään)
1.8W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
SOT-23-6L
Pakkaus / Kotelo
SOT-23-6
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
3141-G7K2N20LLEDKR
4822-G7K2N20LLETR
3141-G7K2N20LLECT
3141-G7K2N20LLETR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
RoHS Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
GSFP1526
MOSFET, N-CH, SINGLE, 25A, 150V,
GSFR0308
MOSFET, N-CH, SINGLE, 7A, 30V, S
SSFP6904
MOSFET, N-CH, SINGLE, 50A, 60V,
