Valmistajan tuotenumero:
AIMBG120R040M1XTMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
AIMBG120R040M1XTMA1-DG
Kuvaus:
SIC_DISCRETE
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 1200 V 48A Surface Mount PG-TO263-7-12
Varasto:
1629 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12989267
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
AIMBG120R040M1XTMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
CoolSiC™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
SiCFET (Silicon Carbide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
1200 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
48A
FET-ominaisuus
-
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-TO263-7-12
Pakkaus / Kotelo
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Perustuotenumero
AIMBG120
Lisätietoja
Vakio-paketti
1,000
Muut nimet
448-AIMBG120R040M1XTMA1DKR
448-AIMBG120R040M1XTMA1TR
448-AIMBG120R040M1XTMA1CT
SP005411513
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
BSC033N08NS5SCATMA1
TRENCH 40<-<100V
MCMN2014A-TP
N-CHANNEL MOSFET,DFN2020-6J
PJMH120N60EC_T0_00601
600V/ 120MOHM / 30A/ EASY TO DRI
