Valmistajan tuotenumero:
AUIRFS3006-7TRL
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
AUIRFS3006-7TRL-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 60V 293A D2PAK-7P
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 60 V 240A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK
Varasto:
12839407
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
AUIRFS3006-7TRL Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
HEXFET®
Tuotteen tila
Not For New Designs
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
60 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
240A (Tc)
Rds päällä (max) @ id, vgs
2.1mOhm @ 168A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
300 nC @ 10 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
8850 pF @ 50 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
375W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
D2PAK
Pakkaus / Kotelo
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
800
Muut nimet
SP001521716
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IPB180N06S4H1ATMA2
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
6672
DiGi OSA NUMERO
IPB180N06S4H1ATMA2-DG
Yksikköhinta
1.78
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
IPB017N06N3GATMA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
9000
DiGi OSA NUMERO
IPB017N06N3GATMA1-DG
Yksikköhinta
1.54
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
FQPF34N20L
MOSFET N-CH 200V 17.5A TO220F
HUF75343S3ST
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
FQD4P25TM-WS
MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
