Valmistajan tuotenumero:
BSB056N10NN3GXUMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
BSB056N10NN3GXUMA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 9A/83A 2WDSON
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 100 V 9A (Ta), 83A (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Varasto:
11611 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12802534
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
frVR
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
BSB056N10NN3GXUMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
OptiMOS™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
9A (Ta), 83A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
6V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
5.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 100µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
5500 pF @ 50 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
2.8W (Ta), 78W (Tc)
Käyttölämpötila
-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Pakkaus / Kotelo
3-WDSON
Perustuotenumero
BSB056
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Tietokortit
HTML-tietolomake
Lisätietoja
Vakio-paketti
5,000
Muut nimet
BSB056N10NN3 G-DG
BSB056N10NN3 GDKR-DG
BSB056N10NN3 GDKR
BSB056N10NN3 G
BSB056N10NN3 GCT
2156-BSB056N10NN3GXUMA1TR
BSB056N10NN3GXUMA1TR
BSB056N10NN3G
BSB056N10NN3 GTR-DG
BSB056N10NN3 GCT-DG
SP000604540
BSB056N10NN3GXT
BSB056N10NN3GXUMA1CT
BSB056N10NN3GXUMA1DKR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IPU80R1K4CEAKMA1
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3
IRF6216TRPBF
MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO
IRF7210PBF
MOSFET P-CH 12V 16A 8SO