Valmistajan tuotenumero:
BSC027N04LSGATMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
BSC027N04LSGATMA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 40V 24A/100A TDSON
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 40 V 24A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Varasto:
63448 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12842004
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
BSC027N04LSGATMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
OptiMOS™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
40 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
24A (Ta), 100A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
2.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 49µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
85 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
6800 pF @ 20 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
2.5W (Ta), 83W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-TDSON-8-1
Pakkaus / Kotelo
8-PowerTDFN
Perustuotenumero
BSC027
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
5,000
Muut nimet
BSC027N04LS GCT
BSC027N04LSGATMA1DKR
BSC027N04LS G-DG
BSC027N04LS GTR-DG
SP000354810
BSC027N04LSGATMA1TR
BSC027N04LS GCT-DG
BSC027N04LS GDKR
BSC027N04LS G
BSC027N04LS GDKR-DG
BSC027N04LS GTR
BSC027N04LSG
BSC027N04LSGATMA1CT
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
MMBF170LT1G
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
NTMS4404NR2
MOSFET N-CH 30V 7A 8SOIC
2SK1374G0L
MOSFET N-CH 50V 50MA SMINI3-F2
