Valmistajan tuotenumero:
BSC057N08NS3GATMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
BSC057N08NS3GATMA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 80V 16A/100A TDSON
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 80 V 16A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 114W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Varasto:
14602 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12840414
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
jEc6
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
BSC057N08NS3GATMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
OptiMOS™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
80 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
16A (Ta), 100A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
6V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
5.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 73µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
3900 pF @ 40 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
2.5W (Ta), 114W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-TDSON-8-5
Pakkaus / Kotelo
8-PowerTDFN
Perustuotenumero
BSC057
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Tietokortit
HTML-tietolomake
Lisätietoja
Vakio-paketti
5,000
Muut nimet
BSC057N08NS3 GCT-DG
BSC057N08NS3 G
BSC057N08NS3GATMA1CT-DGTR-DG
BSC057N08NS3GATMA1TR
SP000447542
2156-BSC057N08NS3GATMA1TR
BSC057N08NS3GATMA1DKR
BSC057N08NS3 GDKR-DG
BSC057N08NS3 GCT
BSC057N08NS3GATMA1DKR-DGTR-DG
BSC057N08NS3 GDKR
BSC057N08NS3 GTR-DG
BSC057N08NS3G
BSC057N08NS3GATMA1CT
BSC057N08NS3 G-DG
BSC057N08NS3 GTR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
NTR5198NLT1G
MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3
NDD04N60ZT4G
MOSFET N-CH 600V 4.1A DPAK
NVMFS5C430NLT1G
MOSFET N-CH 40V 200A 5DFN
