Valmistajan tuotenumero:
BSC060N10NS3GATMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
BSC060N10NS3GATMA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 14.9/90A 8TDSON
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 100 V 14.9A (Ta), 90A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Varasto:
12802 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12799266
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
Iv9e
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
BSC060N10NS3GATMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
OptiMOS™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
14.9A (Ta), 90A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
6V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 90µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
4900 pF @ 50 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
125W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-TDSON-8-1
Pakkaus / Kotelo
8-PowerTDFN
Perustuotenumero
BSC060
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Tietokortit
HTML-tietolomake
Lisätietoja
Vakio-paketti
5,000
Muut nimet
BSC060N10NS3 G
BSC060N10NS3 GDKR
BSC060N10NS3GATMA1TR
BSC060N10NS3 G-DG
SP000446584
BSC060N10NS3 GTR
BSC060N10NS3 GTR-DG
BSC060N10NS3GATMA1CT
BSC060N10NS3 GCT-DG
BSC060N10NS3GATMA1CT-DGTR-DG
BSC060N10NS3 GDKR-DG
BSC060N10NS3GATMA1DKR-DGTR-DG
BSC060N10NS3G
BSC060N10NS3GATMA1DKR
BSC060N10NS3 GCT
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
BSC016N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 32A/100A TDSON
BSP135H6906XTSA1
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
BSC500N20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8
