Valmistajan tuotenumero:
BSC110N15NS5ATMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
BSC110N15NS5ATMA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 150V 76A TDSON
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 150 V 76A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Varasto:
13446 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12802797
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
BSC110N15NS5ATMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
OptiMOS™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
150 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
76A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
8V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
11mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.6V @ 91µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2770 pF @ 75 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
125W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-TDSON-8-7
Pakkaus / Kotelo
8-PowerTDFN
Perustuotenumero
BSC110
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
5,000
Muut nimet
BSC110N15NS5ATMA1-DG
SP001181418
BSC110N15NS5ATMA1CT
BSC110N15NS5ATMA1DKR
BSC110N15NS5ATMA1TR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IRFS4310PBF
MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
IPB80N04S2L03ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
IRF7203TR
MOSFET P-CH 20V 4.3A 8SO