Valmistajan tuotenumero:
BSC350N20NSFDATMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
BSC350N20NSFDATMA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 200V 35A TDSON-8-1
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 200 V 35A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Varasto:
3864 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12799043
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
BSC350N20NSFDATMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
OptiMOS™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
200 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
35A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
35mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 90µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2410 pF @ 100 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
150W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-TDSON-8-1
Pakkaus / Kotelo
8-PowerTDFN
Perustuotenumero
BSC350
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
5,000
Muut nimet
BSC350N20NSFDATMA1CT
BSC350N20NSFDATMA1DKR
BSC350N20NSFDATMA1-DG
BSC350N20NSFDATMA1TR
SP001108124
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
BSC22DN20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 7A TDSON-8-5
BTS282ZE3230AKSA2
MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
BSL211SPL6327HTSA1
MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6
