Valmistajan tuotenumero:
BSO612CVGHUMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
BSO612CVGHUMA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8DSO
Yksityiskohtainen kuvaus:
Mosfet Array 60V 3A, 2A 2W Surface Mount PG-DSO-8
Varasto:
12799195
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
BSO612CVGHUMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, FET, MOSFET-ryhmät
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
-
Sarja
SIPMOS®
Tuotteen tila
Obsolete
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguraatio
N and P-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
60V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
3A, 2A
Rds päällä (max) @ id, vgs
120mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 20µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
15.5nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
340pF @ 25V
Teho - Max
2W
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Pakkaus / Kotelo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Toimittajan laitepaketti
PG-DSO-8
Perustuotenumero
BSO612
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
HTML-tietolomake
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,500
Muut nimet
BSO612CVGHUMA1TR
BSO612CVGHUMA1DKR
2156-BSO612CVGHUMA1
BSO612CVXTINCT
BSO612CVXTINCT-DG
BSO612CVGXT
BSO612CVXTINTR-DG
BSO612CVT
BSO612CVGINTR-DG
BSO612CVGINTR
BSO612CVGINDKR-DG
BSO612CVGINCT-DG
INFINFBSO612CVGHUMA1
BSO612CVGT
BSO612CVXTINTR
BSO612CVGHUMA1CT
BSO612CVGINDKR
BSO612CV G
SP000216307
BSO612CVG
BSO612CV G-DG
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IRF7343TRPBF
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
18654
DiGi OSA NUMERO
IRF7343TRPBF-DG
Yksikköhinta
0.39
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
DF11MR12W1M1B11BPSA1
SIC 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2
BSL306NL6327HTSA1
MOSFET 2N-CH 30V 2.3A TSOP6-6
BSO4804T
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO