Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
BSP296L6327HTSA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
BSP296L6327HTSA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223-4
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 100 V 1.1A (Ta) 1.79W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
12798892
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
BSP296L6327HTSA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
SIPMOS®
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
1.1A (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
700mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 400µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
17.2 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
364 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
1.79W (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-SOT223-4
Pakkaus / Kotelo
TO-261-4, TO-261AA
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
BSP296L6327HTSA1
HTML-tietolomake
BSP296L6327HTSA1-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
1,000
Muut nimet
BSP296XTINCT
BSP296 L6327-DG
BSP296L6327INTR-NDR
BSP296XTINCT-DG
INFINFBSP296L6327HTSA1
BSP296XTINTR
BSP296L6327HTSA1CT
BSP296L6327INTR
BSP296L6327HTSA1TR
BSP296L6327INCT-DG
BSP296L6327INDKR-NDR
BSP296XTINTR-DG
BSP296 L6327
BSP296L6327INCT
BSP296L6327HTSA1DKR
BSP296L6327INTR-DG
BSP296L6327
BSP296L6327XT
BSP296L6327INCT-NDR
BSP296L6327INDKR
BSP296L6327INDKR-DG
BSP296L6327T
2156-BSP296L6327HTSA1-ITTR
SP000089209
BSP296E6327T
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
PMT560ENEAX
VALMISTAJA
Nexperia USA Inc.
Saatavilla oleva määrä
2788
DiGi OSA NUMERO
PMT560ENEAX-DG
Yksikköhinta
0.08
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
BSP296NH6327XTSA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
12198
DiGi OSA NUMERO
BSP296NH6327XTSA1-DG
Yksikköhinta
0.31
VAIHTOEHTO TYYPPI
Direct
Osanumero
ZVN4310GTA
VALMISTAJA
Diodes Incorporated
Saatavilla oleva määrä
4126
DiGi OSA NUMERO
ZVN4310GTA-DG
Yksikköhinta
0.55
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
BSP89 E6327
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
AUIRLR024ZTRL
MOSFET N CH 55V 16A DPAK
BSC014N04LSIATMA1
MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
AUIRLR3410TR
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK