Valmistajan tuotenumero:
BSP320SH6327XTSA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
BSP320SH6327XTSA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 60 V 2.9A (Tj) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Varasto:
813 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12834535
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
BSP320SH6327XTSA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
SIPMOS™
Tuotteen tila
Last Time Buy
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
60 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
2.9A (Tj)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
120mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 20µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
340 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
1.8W (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-SOT223-4
Pakkaus / Kotelo
TO-261-4, TO-261AA
Perustuotenumero
BSP320
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
1,000
Muut nimet
BSP320SH6327XTSA1DKR
BSP320SH6327XTSA1TR
BSP320SH6327XTSA1CT
BSP320SH6327XTSA1-DG
SP001058768
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
NDT3055L
VALMISTAJA
onsemi
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
NDT3055L-DG
Yksikköhinta
0.36
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
ZXMN6A08GTA
VALMISTAJA
Diodes Incorporated
Saatavilla oleva määrä
3489
DiGi OSA NUMERO
ZXMN6A08GTA-DG
Yksikköhinta
0.23
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
2N7002W
MOSFET SOT323 N 60V 13.5OHM
AUIRFP064N
MOSFET N-CH 55V 110A TO247AC
BS170RLRMG
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
