Valmistajan tuotenumero:
BSP322PL6327HTSA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
BSP322PL6327HTSA1-DG
Kuvaus:
MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
Yksityiskohtainen kuvaus:
P-Channel 100 V 1A (Tc) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21
Varasto:
12801032
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
BSP322PL6327HTSA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
-
Sarja
SIPMOS®
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
P-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
1A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
800mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 380µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
16.5 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
372 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
1.8W (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-SOT223-4-21
Pakkaus / Kotelo
TO-261-4, TO-261AA
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
HTML-tietolomake
Lisätietoja
Vakio-paketti
1,000
Muut nimet
BSP322P L6327
SP000212229
2156-BSP322PL6327HTSA1-ITTR
BSP322P L6327-DG
BSP322PL6327HTSA1TR
INFINFBSP322PL6327HTSA1
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
BSP322PH6327XTSA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
3053
DiGi OSA NUMERO
BSP322PH6327XTSA1-DG
Yksikköhinta
0.28
VAIHTOEHTO TYYPPI
Parametric Equivalent
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IPB65R190C6ATMA1
MOSFET N-CH 650V 20.2A D2PAK
IPC60R190E6X1SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
IPI35CN10N G
MOSFET N-CH 100V 27A TO262-3