Valmistajan tuotenumero:
BSP324L6327HTSA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
BSP324L6327HTSA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 400V 170MA SOT223-4
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 400 V 170mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21
Varasto:
12798379
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
BSP324L6327HTSA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
-
Sarja
SIPMOS®
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
400 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
170mA (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
25Ohm @ 170mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 94µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
5.9 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
154 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
1.8W (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-SOT223-4-21
Pakkaus / Kotelo
TO-261-4, TO-261AA
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
HTML-tietolomake
Lisätietoja
Vakio-paketti
1,000
Muut nimet
BSP324 L6327-DG
BSP324L6327HTSA1DKR
BSP324 L6327TR-DG
BSP324 L6327
BSP324L6327XT
BSP324 L6327CT
BSP324 L6327CT-DG
BSP324L6327HTSA1TR
BSP324L6327
BSP324 L6327DKR
BSP324 L6327DKR-DG
BSP324L6327HTSA1CT
SP000089203
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
BSP324H6327XTSA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
3626
DiGi OSA NUMERO
BSP324H6327XTSA1-DG
Yksikköhinta
0.25
VAIHTOEHTO TYYPPI
Parametric Equivalent
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
AUIRFR2607ZTRL
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
BSP129H6327XTSA1
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
BSP129H6906XTSA1
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
