Valmistajan tuotenumero:
BSS138NH6433XTMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
BSS138NH6433XTMA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 60 V 230mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Varasto:
16922 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12800200
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
BSS138NH6433XTMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
SIPMOS™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
60 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
230mA (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
3.5Ohm @ 230mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 26µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
1.4 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
41 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
360mW (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-SOT23
Pakkaus / Kotelo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Perustuotenumero
BSS138
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
10,000
Muut nimet
BSS138NH6433XTMA1DKR
BSS138NH6433XTMA1TR
BSS138NH6433XTMA1CT
BSS138NH6433XTMA1-DG
SP000924060
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
BSZ0902NSATMA1
MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON
BSS127 E6327
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
IGT60R190D1SATMA1
GANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOF
