Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
BSS83PL6327HTSA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
BSS83PL6327HTSA1-DG
Kuvaus:
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
P-Channel 60 V 330mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
12841958
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
BSS83PL6327HTSA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
-
Sarja
SIPMOS®
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
P-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
60 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
330mA (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
2Ohm @ 330mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 80µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
3.57 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
78 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
360mW (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-SOT23
Pakkaus / Kotelo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Perustuotenumero
BSS83
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
BSS83PL6327HTSA1
HTML-tietolomake
BSS83PL6327HTSA1-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
BSS83PL6327TR
BSS83PL6327HTSA1TR
Q3291502
BSS83PL6327CT_ND
BSS83PL6327DKR
BSS83PL6327XT
SP000247311
BSS83P L6327
BSS83PL6327HTSA1DKR
BSS83P L6327-DG
BSS83PL6327-DG
BSS83PL6327DKR-DG
BSS83PL6327HTSA1CT
BSS83PL6327INACTIVE
-BSS83PL6327
BSS83PL6327TR-DG
BSS83P L6327INACTIVE-DG
BSS83PL6327CT-DG
BSS83PL6327
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
BSS83PH6327XTSA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
107633
DiGi OSA NUMERO
BSS83PH6327XTSA1-DG
Yksikköhinta
0.08
VAIHTOEHTO TYYPPI
Parametric Equivalent
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
NTLJS3113PT1G
MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN
SCH1434-TL-H
MOSFET N-CH 30V 2A 6SCH
SFT1443-TL-H
MOSFET N-CH 100V 9A DPAK/TP-FA
BSC190N15NS3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8-1