Valmistajan tuotenumero:
BSS84PWH6327XTSA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
BSS84PWH6327XTSA1-DG
Kuvaus:
MOSFET P-CH 60V 150MA SOT323-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
P-Channel 60 V 150mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount PG-SOT323
Varasto:
41686 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12799175
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
BSS84PWH6327XTSA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
SIPMOS®
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
P-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
60 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
150mA (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
8Ohm @ 150mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 20µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
1.5 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
19.1 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
300mW (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-SOT323
Pakkaus / Kotelo
SC-70, SOT-323
Perustuotenumero
BSS84
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
SP000917564
BSS84PWH6327XTSA1DKR
BSS84PWH6327XTSA1TR
BSS84PWH6327XTSA1CT
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
BSL211SPH6327XTSA1
MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6
BSB017N03LX3 G
MOSFET N-CH 30V 32A/147A 2WDSON
BSC900N20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 15.2A TDSON-8