Valmistajan tuotenumero:
BSZ019N03LSATMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
BSZ019N03LSATMA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 22A . 40A TSDSON
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 30 V 22A (Ta). 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Varasto:
89383 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12799280
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
BSZ019N03LSATMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
OptiMOS™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
30 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
22A (Ta). 40A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
1.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2800 pF @ 15 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-TSDSON-8-FL
Pakkaus / Kotelo
8-PowerTDFN
Perustuotenumero
BSZ019
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
5,000
Muut nimet
BSZ019N03LSCT-DG
BSZ019N03LSCT
SP000792362
BSZ019N03LSATMA1DKR
BSZ019N03LS-DG
BSZ019N03LSATMA1TR
BSZ019N03LSDKR-DG
BSZ019N03LSATMA1CT
BSZ019N03LSTR-DG
BSZ019N03LS
BSZ019N03LSDKR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
BSZ120P03NS3GATMA1
MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
BUZ31L H
MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3
BSP320SL6433HTMA1
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
