Valmistajan tuotenumero:
BSZ025N04LSATMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
BSZ025N04LSATMA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 40 V 22A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Varasto:
8302 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12798813
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
BSZ025N04LSATMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
OptiMOS™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
40 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
22A (Ta), 40A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
2.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
3680 pF @ 20 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-TSDSON-8-FL
Pakkaus / Kotelo
8-PowerTDFN
Perustuotenumero
BSZ025
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
5,000
Muut nimet
BSZ025N04LSATMA1DKR
2156-BSZ025N04LSATMA1
SP001252032
IFEINFBSZ025N04LSATMA1
BSZ025N04LSATMA1TR
BSZ025N04LSATMA1CT
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
BSS138W E6433
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3
BSP297 E6327
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
BSS159NL6327HTSA1
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
