Valmistajan tuotenumero:
BSZ035N03MSGATMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
BSZ035N03MSGATMA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 18A/40A 8TSDSON
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 30 V 18A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Varasto:
11583 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
13064042
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
BSZ035N03MSGATMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
OptiMOS™
Pakkaaminen
Tape & Reel (TR)
Osan tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
30 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
18A (Ta), 40A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
3.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
5700 pF @ 15 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-TSDSON-8
Pakkaus / Kotelo
8-PowerTDFN
Perustuotenumero
BSZ035
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
5,000
Muut nimet
2156-BSZ035N03MSGATMA1
BSZ035N03MSGATMA1DKR
BSZ035N03MSGXT
BSZ035N03MSGINDKR-ND
BSZ035N03MSGINCT
BSZ035N03MSG
BSZ035N03MSGINTR-ND
IFEINFBSZ035N03MSGATMA1
BSZ035N03MSGATMA1TR
SP000311511
BSZ035N03MSGATMA1CT
BSZ035N03MSGINDKR
BSZ035N03MS G
BSZ035N03MSGINCT-ND
BSZ035N03MSGINTR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IPDD60R080G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 29A HDSOP-10
IRF1010NLPBF
MOSFET N-CH 55V 85A TO262
IRFS4410
MOSFET N-CH 100V 96A D2PAK
