Valmistajan tuotenumero:
BSZ040N04LSGATMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
BSZ040N04LSGATMA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 40V 18A/40A 8TSDSON
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 40 V 18A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Varasto:
9689 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12799997
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
BSZ040N04LSGATMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
OptiMOS™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
40 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
18A (Ta), 40A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 36µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
5100 pF @ 20 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-TSDSON-8
Pakkaus / Kotelo
8-PowerTDFN
Perustuotenumero
BSZ040
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
5,000
Muut nimet
BSZ040N04LSGATMA1CT
BSZ040N04LSGATMA1DKR
BSZ040N04LSGINCT-DG
BSZ040N04LSGINTR-DG
SP000388295
BSZ040N04LS G
BSZ040N04LSG
BSZ040N04LSGXT
BSZ040N04LSGINDKR-DG
BSZ040N04LSGINTR
BSZ040N04LSGATMA1TR
BSZ040N04LSGINCT
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IPA70R600P7SXKSA1
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO220
IPA60R280P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-FP
IPD50N04S408ATMA1
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
