Valmistajan tuotenumero:
BSZ042N06NSATMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
BSZ042N06NSATMA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 60 V 17A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Varasto:
12345 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12799633
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
BSZ042N06NSATMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
OptiMOS™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
60 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
17A (Ta), 40A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
6V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
4.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 36µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2000 pF @ 30 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-TSDSON-8-FL
Pakkaus / Kotelo
8-PowerTDFN
Perustuotenumero
BSZ042
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
5,000
Muut nimet
BSZ042N06NSCT-DG
BSZ042N06NSATMA1CT
BSZ042N06NSTR
BSZ042N06NS-DG
BSZ042N06NSATMA1DKR
2156-BSZ042N06NSATMA1TR
SP000917418
BSZ042N06NS
BSZ042N06NSDKR
BSZ042N06NSATMA1TR
BSZ042N06NSTR-DG
BSZ042N06NSCT
BSZ042N06NSDKR-DG
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
BSD214SNH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6
BSZ110N06NS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
BSO064N03S
MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO
