Valmistajan tuotenumero:
BSZ0901NSIATMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
BSZ0901NSIATMA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 30 V 25A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Varasto:
5318 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12800555
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
BSZ0901NSIATMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
OptiMOS™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
30 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
25A (Ta), 40A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
2.1mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2600 pF @ 15 V
FET-ominaisuus
Schottky Diode (Body)
Tehohäviö (enintään)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-TSDSON-8-FL
Pakkaus / Kotelo
8-PowerTDFN
Perustuotenumero
BSZ0901
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
5,000
Muut nimet
BSZ0901NSIDKR-DG
SP000853566
BSZ0901NSIATMA1CT
BSZ0901NSICT
BSZ0901NSI
BSZ0901NSIATMA1TR
BSZ0901NSITR
BSZ0901NSIDKR
BSZ0901NSIATMA1DKR
BSZ0901NSICT-DG
BSZ0901NSITR-DG
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IPB009N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
IPB65R600C6ATMA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A D2PAK
IPD30N08S2L21ATMA1
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
