Valmistajan tuotenumero:
BSZ097N04LSGATMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
BSZ097N04LSGATMA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 40V 12A/40A 8TSDSON
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 40 V 12A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Varasto:
8312 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12854217
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
BSZ097N04LSGATMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
OptiMOS™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
40 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
12A (Ta), 40A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
9.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 14µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1900 pF @ 20 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
2.1W (Ta), 35W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-TSDSON-8
Pakkaus / Kotelo
8-PowerTDFN
Perustuotenumero
BSZ097
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
5,000
Muut nimet
BSZ097N04LS G
BSZ097N04LSGINTR
BSZ097N04LSGATMA1TR
SP000388296
BSZ097N04LSGXT
2156-BSZ097N04LSGATMA1TR
BSZ097N04LSG
BSZ097N04LSGATMA1CT
BSZ097N04LSGINCT
BSZ097N04LSGINTR-DG
BSZ097N04LSGINCT-DG
BSZ097N04LSGATMA1DKR
BSZ097N04LSGINDKR-DG
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
MCH6344-TL-H
MOSFET P-CH 30V 2A 6MCPH
HAT2256RWS-E
MOSFET N-CH 60V 8A 8SOP
NP90N04NUK-S18-AY
MOSFET N-CH 40V 90A TO262
