Valmistajan tuotenumero:
BSZ22DN20NS3GATMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
BSZ22DN20NS3GATMA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 200 V 7A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Varasto:
9286 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12799722
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
BSZ22DN20NS3GATMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
OptiMOS™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
200 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
7A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
225mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 13µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
5.6 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
430 pF @ 100 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
34W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-TSDSON-8
Pakkaus / Kotelo
8-PowerTDFN
Perustuotenumero
BSZ22DN20
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
5,000
Muut nimet
BSZ22DN20NS3G
BSZ22DN20NS3GTR
2156-BSZ22DN20NS3GATMA1
BSZ22DN20NS3GDKR-DG
BSZ22DN20NS3GATMA1DKR
SP000781794
BSZ22DN20NS3GDKR
BSZ22DN20NS3GCT-DG
BSZ22DN20NS3GTR-DG
BSZ22DN20NS3GATMA1TR
IFEINFBSZ22DN20NS3GATMA1
BSZ22DN20NS3GCT
BSZ22DN20NS3GATMA1CT
BSZ22DN20NS3 G
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IPB015N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
BUZ31 H3045A
MOSFET N-CH 200V 14.5A D2PAK
IPB45P03P4L11ATMA1
MOSFET P-CH 30V 45A TO263-3