Valmistajan tuotenumero:
IAUT150N10S5N035ATMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IAUT150N10S5N035ATMA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 150A 8HSOF
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 100 V 150A (Tc) 166W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Varasto:
7538 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12801563
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IAUT150N10S5N035ATMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
OptiMOS™-5
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
150A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
6V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
3.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 110µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
6110 pF @ 50 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
166W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-HSOF-8-1
Pakkaus / Kotelo
8-PowerSFN
Perustuotenumero
IAUT150
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Tietokortit
HTML-tietolomake
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,000
Muut nimet
IAUT150N10S5N035
IAUT150N10S5N035ATMA1TR
IAUT150N10S5N035DKR
IAUT150N10S5N035TR
SP001416126
IFEINFIAUT150N10S5N035ATMA1
IAUT150N10S5N035CT
IAUT150N10S5N035ATMA1DKR
IAUT150N10S5N035ATMA1CT
2156-IAUT150N10S5N035ATMA1
IAUT150N10S5N035ATMA1-DG
IAUT150N10S5N035DKR-DG
IAUT150N10S5N035CT-DG
IAUT150N10S5N035TR-DG
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IPD70R1K4CEAUMA1
MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3
IPD70N12S311ATMA1
MOSFET N-CH 120V 70A TO252-31
IPI120N10S405AKSA1
MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3