Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
IPA093N06N3GXKSA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPA093N06N3GXKSA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 60V 43A TO220-3-31
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 60 V 43A (Tc) 33W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
12799559
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPA093N06N3GXKSA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tube
Sarja
OptiMOS™
Tuotteen tila
Not For New Designs
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
60 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
43A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
9.3mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 34µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
3900 pF @ 30 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
33W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
PG-TO220-3-31
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3 Full Pack
Perustuotenumero
IPA093
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
IPA093N06N3 G
Tietokortit
IPA093N06N3GXKSA1
HTML-tietolomake
IPA093N06N3GXKSA1-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Muut nimet
2156-IPA093N06N3GXKSA1-448
IPA093N06N3 G
SP000451088
IPA093N06N3 G-DG
IPA093N06N3G
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
TK40A06N1,S4X
VALMISTAJA
Toshiba Semiconductor and Storage
Saatavilla oleva määrä
480
DiGi OSA NUMERO
TK40A06N1,S4X-DG
Yksikköhinta
0.42
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
AOTF2610L
VALMISTAJA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
AOTF2610L-DG
Yksikköhinta
0.57
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
BSC670N25NSFDATMA1
MOSFET N-CH 250V 24A TDSON-8-1
IPA50R650CEXKSA2
MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220
IPA040N06NXKSA1
MOSFET N-CH 60V 69A TO220-FP
BSS127H6327XTSA2
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3