Valmistajan tuotenumero:
IPA80R1K4P7XKSA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPA80R1K4P7XKSA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3F
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 800 V 4A (Tc) 24W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
Varasto:
112 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12804051
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPA80R1K4P7XKSA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tube
Sarja
CoolMOS™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
800 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
4A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 700µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
250 pF @ 500 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
24W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
PG-TO220-3-31
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3 Full Pack
Perustuotenumero
IPA80R1
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Tietokortit
HTML-tietolomake
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Muut nimet
2156-IPA80R1K4P7XKSA1
SP001422546
ROCINFIPA80R1K4P7XKSA1
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
Not Applicable
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IRFR3710ZTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
IPD320N20N3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3
IRF9310PBF
MOSFET P-CH 30V 20A 8SO
