Valmistajan tuotenumero:
IPA90R1K2C3XKSA2
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPA90R1K2C3XKSA2-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO220
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 900 V 5.1A (Tc) 31W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Varasto:
312 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12803759
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPA90R1K2C3XKSA2 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tube
Sarja
CoolMOS™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
900 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
5.1A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 310µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
710 pF @ 100 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
31W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
PG-TO220-FP
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3 Full Pack
Perustuotenumero
IPA90R1
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
500
Muut nimet
SP002548862
IPA90R1K2C3XKSA2-DG
448-IPA90R1K2C3XKSA2
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IRF7410PBF
MOSFET P-CH 12V 16A 8SO
IRF2807ZSTRRPBF
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
IRFR9120NTRR
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
