Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
IPAN50R500CEXKSA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPAN50R500CEXKSA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 500V 11.1A TO220
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 500 V 11.1A (Tc) 28W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Varasto:
496 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12804970
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPAN50R500CEXKSA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tube
Sarja
CoolMOS™
Tuotteen tila
Last Time Buy
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
500 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
11.1A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
13V
Rds päällä (max) @ id, vgs
500mOhm @ 2.3A, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 200µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
18.7 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
433 pF @ 100 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
28W (Tc)
Käyttölämpötila
-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
PG-TO220-FP
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3 Full Pack
Perustuotenumero
IPAN50
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
IPAN50R500CE
Tietokortit
IPAN50R500CEXKSA1
HTML-tietolomake
IPAN50R500CEXKSA1-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Muut nimet
2156-IPAN50R500CEXKSA1
SP001508834
INFINFIPAN50R500CEXKSA1
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
TK12A45D(STA4,Q,M)
VALMISTAJA
Toshiba Semiconductor and Storage
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
TK12A45D(STA4,Q,M)-DG
Yksikköhinta
0.85
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
R6035VNXC7G
VALMISTAJA
Rohm Semiconductor
Saatavilla oleva määrä
1050
DiGi OSA NUMERO
R6035VNXC7G-DG
Yksikköhinta
2.53
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
FDPF12N50NZ
VALMISTAJA
Fairchild Semiconductor
Saatavilla oleva määrä
1000
DiGi OSA NUMERO
FDPF12N50NZ-DG
Yksikköhinta
0.93
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
STF11NM50N
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
STF11NM50N-DG
Yksikköhinta
1.37
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
R5011FNX
VALMISTAJA
Rohm Semiconductor
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
R5011FNX-DG
Yksikköhinta
2.65
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IRFH5300TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 40A PQFN
IRF5802
MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6
IRFR3412PBF
MOSFET N-CH 100V 48A DPAK
IPW65R037C6FKSA1
MOSFET N-CH 650V 83.2A TO247-3