Valmistajan tuotenumero:
IPB029N06N3GATMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPB029N06N3GATMA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Varasto:
29422 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12804114
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPB029N06N3GATMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
OptiMOS™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
60 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
120A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
2.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 118µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
165 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
13000 pF @ 30 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
188W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-TO263-3
Pakkaus / Kotelo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Perustuotenumero
IPB029
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
1,000
Muut nimet
IPB029N06N3G
IPB029N06N3 GCT
IPB029N06N3 G-DG
IPB029N06N3 GDKR-DG
IPB029N06N3GATMA1CT
IPB029N06N3 GTR-DG
IPB029N06N3GATMA1DKR
IPB029N06N3 GCT-DG
IPB029N06N3GATMA1TR
IPB029N06N3 GDKR
IPB029N06N3 G
SP000453052
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IRF6633ATRPBF
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
IRFB4229PBF
MOSFET N-CH 250V 46A TO220AB
IPP50R199CPXKSA1
MOSFET N-CH 550V 17A TO220-3
