Valmistajan tuotenumero:
IPB042N10N3GATMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPB042N10N3GATMA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Varasto:
40835 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12799592
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPB042N10N3GATMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
OptiMOS™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
100A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
6V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
4.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 150µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
8410 pF @ 50 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
214W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-TO263-3
Pakkaus / Kotelo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Perustuotenumero
IPB042
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
1,000
Muut nimet
IPB042N10N3GATMA1TR
IPB042N10N3 G-DG
IPB042N10N3GATMA1CT
IPB042N10N3G
IPB042N10N3 GCT-DG
IPB042N10N3 GTR-DG
IPB042N10N3 GDKR
IPB042N10N3GATMA1DKR
IPB042N10N3 GDKR-DG
IPB042N10N3 GCT
SP000446880
IPB042N10N3 G
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IPA50R500CEXKSA2
MOSFET N-CH 500V 5.4A TO220
BSZ036NE2LSATMA1
MOSFET N-CH 25V 16A/40A TSDSON
BSC034N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 22A/100A TDSON
