Valmistajan tuotenumero:
IPB049N08N5ATMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPB049N08N5ATMA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 80 V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Varasto:
1859 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12800740
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
PhTa
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPB049N08N5ATMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
OptiMOS™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
80 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
80A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
6V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
4.9mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 66µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
3770 pF @ 40 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
125W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-TO263-3
Pakkaus / Kotelo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Perustuotenumero
IPB049
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
1,000
Muut nimet
2156-IPB049N08N5ATMA1
448-IPB049N08N5ATMA1CT
448-IPB049N08N5ATMA1TR
IPB049N08N5ATMA1-DG
INFINFIPB049N08N5ATMA1
SP001227052
448-IPB049N08N5ATMA1DKR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IPD50N06S2L13ATMA2
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31
IPD06P005NSAUMA1
MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3
IPB120N06S403ATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3