Valmistajan tuotenumero:
IPB054N08N3GATMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPB054N08N3GATMA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 80 V 80A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Varasto:
2888 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12800290
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPB054N08N3GATMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
OptiMOS™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
80 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
80A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
6V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
5.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 90µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
4750 pF @ 40 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
150W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-TO263-3
Pakkaus / Kotelo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Perustuotenumero
IPB054
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Tietokortit
HTML-tietolomake
Lisätietoja
Vakio-paketti
1,000
Muut nimet
IPB054N08N3 GCT-DG
IPB054N08N3GATMA1CT
SP000395166
IPB054N08N3 GDKR
IPB054N08N3GATMA1TR
IPB054N08N3GATMA1DKR
IPB054N08N3 GTR-DG
IPB054N08N3 G
IPB054N08N3 GDKR-DG
IPB054N08N3 G-DG
IPB054N08N3 GCT
IPB054N08N3G
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IMW120R060M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3
IPD13N03LA G
MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
IPB025N10N3GE8187ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7