Valmistajan tuotenumero:
IPB083N10N3GATMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPB083N10N3GATMA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Varasto:
4514 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12816137
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPB083N10N3GATMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
OptiMOS™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
80A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
6V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
8.3mOhm @ 73A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 75µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
3980 pF @ 50 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
125W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-TO263-3
Pakkaus / Kotelo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Perustuotenumero
IPB083
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
1,000
Muut nimet
IPB083N10N3 GDKR-DG
IPB083N10N3G
IPB083N10N3 G
IPB083N10N3GATMA1DKR
SP000458812
IPB083N10N3GATMA1TR
IPB083N10N3 GDKR
IPB083N10N3 GCT
IPB083N10N3 G-DG
IPB083N10N3 GCT-DG
IPB083N10N3GATMA1CT
IPB083N10N3 GTR-DG
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
SPS03N60C3BKMA1
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO251-3
IRFB7440GPBF
MOSFET N CH 40V 120A TO220AB
SPB18P06P
MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
