Valmistajan tuotenumero:
IPB180P04P4L02ATMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPB180P04P4L02ATMA1-DG
Kuvaus:
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Yksityiskohtainen kuvaus:
P-Channel 40 V 180A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
Varasto:
12801245
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPB180P04P4L02ATMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
OptiMOS™
Tuotteen tila
Not For New Designs
FET-tyyppi
P-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
40 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
180A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
2.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 410µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
286 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±16V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
18700 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
150W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-TO263-7-3
Pakkaus / Kotelo
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Perustuotenumero
IPB180
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
HTML-tietolomake
Lisätietoja
Vakio-paketti
1,000
Muut nimet
IPB180P04P4L02ATMA1DKR
IPB180P04P4L02ATMA1TR
SP000709460
IPB180P04P4L02ATMA1CT
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IPB180P04P4L02ATMA2
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
4559
DiGi OSA NUMERO
IPB180P04P4L02ATMA2-DG
Yksikköhinta
1.74
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IRFR3706
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
IPD65R660CFDBTMA1
MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
IPD30N03S4L14ATMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
