Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
IPB50R250CPATMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPB50R250CPATMA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 550V 13A TO263-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 550 V 13A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
12801266
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPB50R250CPATMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
-
Sarja
CoolMOS™
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
550 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
13A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
250mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 520µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1420 pF @ 100 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
114W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-TO263-3-2
Pakkaus / Kotelo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Perustuotenumero
IPB50R
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
IPB50R250CPATMA1
HTML-tietolomake
IPB50R250CPATMA1-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
1,000
Muut nimet
IPB50R250CP
SP000236093
ROCINFIPB50R250CPATMA1
IPB50R250CP-DG
IPB50R250CPATMA1TR
2156-IPB50R250CPATMA1
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IXFA26N50P3
VALMISTAJA
IXYS
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
IXFA26N50P3-DG
Yksikköhinta
3.90
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
STB14NK50ZT4
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
STB14NK50ZT4-DG
Yksikköhinta
1.85
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
FDB20N50F
VALMISTAJA
onsemi
Saatavilla oleva määrä
12950
DiGi OSA NUMERO
FDB20N50F-DG
Yksikköhinta
1.47
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
STB13NK60ZT4
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
757
DiGi OSA NUMERO
STB13NK60ZT4-DG
Yksikköhinta
1.79
VAIHTOEHTO TYYPPI
Direct
Osanumero
STB18N60M2
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
916
DiGi OSA NUMERO
STB18N60M2-DG
Yksikköhinta
1.09
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
BUZ73AE3046XK
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
IPP032N06N3GHKSA1
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
IPN70R1K5CEATMA1
MOSFET N-CH 700V 5.4A SOT223
IPB120N04S3-02
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK