Valmistajan tuotenumero:
IPB60R080P7ATMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPB60R080P7ATMA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 37A D2PAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 600 V 37A (Tc) 129W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Varasto:
12806911
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPB60R080P7ATMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
CoolMOS™ P7
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
37A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
80mOhm @ 11.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 590µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2180 pF @ 400 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
129W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-TO263-3
Pakkaus / Kotelo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Perustuotenumero
IPB60R080
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
1,000
Muut nimet
IPB60R080P7ATMA1TR
IPB60R080P7ATMA1-DG
IPB60R080P7
SP001664898
IFEINFIPB60R080P7ATMA1
IPB60R080P7ATMA1DKR
2156-IPB60R080P7ATMA1
IPB60R080P7ATMA1CT
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
SPD04N50C3T
MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK
SPU03N60S5BKMA1
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3
TN0604N3-G-P005
MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3
