Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
IPB60R600CPATMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPB60R600CPATMA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 6.1A D2PAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 600 V 6.1A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
12804771
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPB60R600CPATMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
CoolMOS™ CP
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
6.1A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
600mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 220µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
550 pF @ 100 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
60W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-TO263-3
Pakkaus / Kotelo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Perustuotenumero
IPB60R
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
IPB60R600CP
Tietokortit
IPB60R600CPATMA1
HTML-tietolomake
IPB60R600CPATMA1-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
1,000
Muut nimet
IPB60R600CP
SP000405892
IPB60R600CPCT
IPB60R600CPDKR
IPB60R600CPTR
IPB60R600CPATMA1DKR
IPB60R600CP-DG
IPB60R600CPATMA1CT
IPB60R600CPATMA1TR
IPB60R600CPTR-DG
IPB60R600CPCT-DG
IPB60R600CPDKR-DG
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
R6007KNJTL
VALMISTAJA
Rohm Semiconductor
Saatavilla oleva määrä
17
DiGi OSA NUMERO
R6007KNJTL-DG
Yksikköhinta
0.74
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
IXFA14N60P
VALMISTAJA
IXYS
Saatavilla oleva määrä
50
DiGi OSA NUMERO
IXFA14N60P-DG
Yksikköhinta
2.25
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
STD10NM60ND
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
2200
DiGi OSA NUMERO
STD10NM60ND-DG
Yksikköhinta
0.83
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
R6009KNJTL
VALMISTAJA
Rohm Semiconductor
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
R6009KNJTL-DG
Yksikköhinta
0.74
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
R6009ENJTL
VALMISTAJA
Rohm Semiconductor
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
R6009ENJTL-DG
Yksikköhinta
1.16
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IRF7853PBF
MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
IRF6619
MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
IPW60R250CP
MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3
IRF5305STRLPBF
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK