Valmistajan tuotenumero:
IPB65R150CFDATMA2
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPB65R150CFDATMA2-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO263-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 650 V 22.4A (Tc) 195.3W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Varasto:
1000 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12800579
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPB65R150CFDATMA2 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
CoolMOS™ CFD2
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
650 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
22.4A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
150mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 900µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2340 pF @ 100 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
195.3W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-TO263-3
Pakkaus / Kotelo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Perustuotenumero
IPB65R150
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
1,000
Muut nimet
SP001977036
448-IPB65R150CFDATMA2DKR
448-IPB65R150CFDATMA2CT
448-IPB65R150CFDATMA2TR
IPB65R150CFDATMA2-DG
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IPB240N03S4LR9ATMA1
MOSFET N-CH 30V 240A TO263-7
IPD082N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
IPD50R800CEBTMA1
MOSFET N CH 500V 5A TO252
