IPB720P15LMATMA1
Valmistajan tuotenumero:

IPB720P15LMATMA1

Product Overview

Valmistaja:

Infineon Technologies

Osan numero:

IPB720P15LMATMA1-DG

Kuvaus:

TRENCH >=100V PG-TO263-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
P-Channel 150 V 4.6A (Ta), 41A (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3

Varasto:

140 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12968203
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä

IPB720P15LMATMA1 Tekniset tiedot

Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
OptiMOS™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
P-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
150 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
4.6A (Ta), 41A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
72mOhm @ 37A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 5.55mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
224 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
11000 pF @ 75 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
3.8W (Ta), 300W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-TO263-3
Pakkaus / Kotelo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Perustuotenumero
IPB720P

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot
Tietokortit
HTML-tietolomake

Lisätietoja

Vakio-paketti
1,000
Muut nimet
448-IPB720P15LMATMA1CT
448-IPB720P15LMATMA1TR
SP001647776
448-IPB720P15LMATMA1DKR

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
infineon-technologies

IPB330P10NMATMA1

TRENCH >=100V PG-TO263-3

rohm-semi

RV4E031RPTCR1

MOSFET P-CH 30V 3.1A DFN1616-6

infineon-technologies

IPD19DP10NMATMA1

TRENCH >=100V PG-TO252-3

infineon-technologies

ISP98DP10LMXTSA1

SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4