Valmistajan tuotenumero:
IPB80N06S208ATMA2
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IPB80N06S208ATMA2-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 215W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Varasto:
12800411
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IPB80N06S208ATMA2 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
-
Sarja
OptiMOS™
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
55 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
80A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
7.7mOhm @ 58A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2860 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
215W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-TO263-3-2
Pakkaus / Kotelo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Perustuotenumero
IPB80N
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
1,000
Muut nimet
SP001067884
INFINFIPB80N06S208ATMA2
2156-IPB80N06S208ATMA2
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
SQM110N05-06L_GE3
VALMISTAJA
Vishay Siliconix
Saatavilla oleva määrä
1525
DiGi OSA NUMERO
SQM110N05-06L_GE3-DG
Yksikköhinta
1.18
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
IXTA120N075T2
VALMISTAJA
IXYS
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
IXTA120N075T2-DG
Yksikköhinta
2.55
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IPD06P003NATMA1
MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3
IPD70P04P4L08ATMA1
MOSFET P-CH 40V 70A TO252-3
IPC60N04S406ATMA1
MOSFET N-CH 40V 60A TDSON-8-23
